作者:标准资料网 时间:2024-04-28 15:41:32   浏览:9855   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardTestMethodforMeasuringtheDepthofCrystalDamageofaMechanicallyWorkedSiliconSliceSurfacebyAnglePolishingandDefectEtching
【原文标准名称】:用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的标准试验方法
【标准号】:ASTMF950-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:损伤;电子工程;表面;测量;蚀刻;深度;硅;垫圈;晶体缺陷;抛光
【英文主题词】:bevelpolish;damage-depth;defect;preferentialetch;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethoddescribesatechniquetomeasurethedepthofdamage,onorbeneaththesurfaceofsiliconwaferspriortoanyheattreatmentofthewafer.Suchdamageresultsfro
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:6P.;A4
【正文语种】: