ASTM F1725-2002 硅锭的结晶完整性分析的标准指南
作者:标准资料网
时间:2024-05-11 16:56:49
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【英文标准名称】:StandardGuideforAnalysisofCrystallographicPerfectionofSiliconIngots
【原文标准名称】:硅锭的结晶完整性分析的标准指南
【标准号】:ASTMF1725-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:密度;缺陷;半导体;硅;试验;蚀刻
【英文主题词】:dislocation;grainboundaries;ingot;polycrystalineimperfections;preferentialetch;silicon;slip
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thispracticecoverstheanalysisofthecrystallographicperfectioninsiliconingots.Thestepsdescribedaresamplepreparation,etchingsolutionselectionanduse,defectident
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:3P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:硅锭的结晶完整性分析的标准指南
【标准号】:ASTMF1725-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Guide)
【标准水平】:()
【中文主题词】:密度;缺陷;半导体;硅;试验;蚀刻
【英文主题词】:dislocation;grainboundaries;ingot;polycrystalineimperfections;preferentialetch;silicon;slip
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thispracticecoverstheanalysisofthecrystallographicperfectioninsiliconingots.Thestepsdescribedaresamplepreparation,etchingsolutionselectionanduse,defectident
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:3P.;A4
【正文语种】:
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